主要技术参数

• N   E   T   D：≤40mK@f/1.0, 50Hz, 300K

• 帧           频：≤60Hz

• 热响应时间：10ms

• 良   元    率：＞99.9%

• 典 型 功 耗： 160mW

• 工 作 温 度： -40℃~+85℃

• 封 装 形 式：陶瓷真空封装

产品特点

• 氧化钒非制冷红外焦平面阵列

• 灵敏度高

• 热响应时间短

• 盲元率低

• 功耗低

• 14bit数字输出

• 陶瓷封装无TEC工作

• 支持宽动态模式

• 接口简单易用